英特尔和美光今日将发布首款25纳米闪存芯片

来源：腾讯网    发布时间：2010.02.02

英特尔和美光计划今日通过双方的合资公司IM Flash Technologies发布25纳米的闪存芯片，这将是利用先进的25纳米生产工艺研制出的第一批商业化芯片产品。



在英特尔和美光正式宣布消息之前，芯片市场研究机构Objective Analysis无意中提前发布了一份研究文件。它在文件中指出，这些新的64GB（8GB）多级单元（MLC）NAND闪存芯片可以帮助英特尔和美光在与对手竞争中获得极大的成本优势。



英特尔代表已经确认了新芯片将于今日发布的消息，并且表示那些芯片是专为智能手机、固态硬盘以及象iPods那样的便携式媒体播放器而开发的。



英特尔表示：“我们将先发布样品，预计产品将在二季度正式投产。”



全球最大闪存芯片厂商三星电子将从今年开始研究30纳米技术，并计划在2010年底之前将30纳米技术应用到大部分生产线中。



开发更小的芯片生产工艺对满足用户对小型多功能产品的需求很重要。芯片生产工艺进步可以提高芯片速度和降低芯片能耗，还有助于芯片厂商降低成本，从而降低芯片价格，造福消费者。



Objective Analysis估计新的25纳米闪存芯片的制造成本大约为每GB 0.50美元，而目前主流45纳米闪存芯片的制造成本为每GB 1.75美元。



Objective Analysis称，闪存芯片的市场价一直徘徊在每GB 2美元左右，这个价格可能会一直持续到年底。



Objective Analysis称，英特尔和美光现在打算向客户提供一些芯片样品，以便它们可以开始规划将芯片用于产品设计。



英特尔和美光从2008年5月起开始在闪存芯片生产厂使用34纳米技术工艺。升级到25纳米技术工艺用了大约一年半的时间。



三星在第四季度投资者会议上表示，智能手机和其他产品中的内置闪存芯片的市场需求非常强劲。



它认为闪存芯片的供应可能会吃紧，因为许多内存芯片厂商都受到了经济衰退的较大影响，一直未能建设新的生产厂，也未能将旧的芯片产品线升级到最新技术工艺。